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GB/T 33657
作者:TECERT    发布于:2017-06-10 07:39:36    检测认证一站式服务    收藏:Ctrl+D
摘要:GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 联系我们:info@tecert.com 安排测试 / Contact us for testing.
国家标准编号 国家标准名称 实施日期
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 2017/12/01

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

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