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GB/T 6219
作者：TECERT 发布于：2016-03-16 07:22:26 检测认证一站式服务 收藏：Ctrl+D
摘要：GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 联系我们：info@tecert.com 安排测试 / Contact us for testing.
| 标准号 Standard No. | 中文标准名称 Standard Title in Chinese | 英文标准名称 Standard Title in English | 状态 State | 备注 Remark |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz | 现行 | 1999-06-01实施,代替GB 6219-1986 |
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。
