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GB/T 4058
作者：TECERT 发布于：2016-03-11 12:21:02 检测认证一站式服务 收藏：Ctrl+D
摘要：GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 联系我们：info@tecert.com 安排测试 / Contact us for testing.
| 标准号 Standard No. | 中文标准名称 Standard Title in Chinese | 英文标准名称 Standard Title in English | 状态 State | 备注 Remark |
| GB/T 4058-1995 | 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 | Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers | 废止 | 1995-12-01实施,代替GB 4058-1983,GB 6622-1986,GB 6623-1986,2010-06-01废止,被GB/T 4058-2009代替 |
| GB/T 4058-2009 | 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 | Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers | 现行 | 2010-06-01实施,代替GB/T 4058-1995 |
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
