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GB/T 1553
作者：TECERT 发布于：2016-02-15 05:16:08 检测认证一站式服务 收藏：Ctrl+D
摘要：GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 联系我们：info@tecert.com 安排测试 / Contact us for testing.
| 标准编号 | 标准名称 | 代替标准号 | 实施日期 |
| GB/T 1553-2023 | 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 | GB/T 1553-2009 | 2024/3/1 |
| 标准号 Standard No. | 中文标准名称 Standard Title in Chinese | 英文标准名称 Standard Title in English | 状态 State | 备注 Remark |
| GB/T 1553-1997 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay | 废止 | 1997-12-01实施,代替GB/T 1553-1979,GB/T 5257-1985,2010-06-01废止,被GB/T 1553-2009代替 |
| GB/T 1553-2009 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay | 废止 | 2010-06-01实施,代替GB/T 1553-1997 |
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10μs。注：直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。
